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2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括鳍型场效应晶体管的半导体器件“，授权公告号CN110620110B，申请日期为2019年2月。
专利摘要显示，一种包括鳍型场效应晶体管(fin FET)的半导体器件包括：设置在衬底上的有源鳍；在有源鳍的两侧上的隔离层；形成为与有源鳍和隔离层交叉的栅极结构；在栅极结构的侧壁上在有源鳍上的源极/漏极区；第一层间绝缘层，在隔离层上与栅极结构的侧壁的部分和源极/漏极区的表面的部分接触；蚀刻停止层，构造为重叠第一层间绝缘层、栅极结构的侧壁和源极/漏极区；以及接触插塞，形成为穿过蚀刻停止层以接触源极/漏极区。源极/漏极区具有与有源鳍的上表面接触的主生长部分。
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