10 月 30 日消息，据中国科学院官网，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究人员与华东师范大学研究员袁清红团队等在新型碳基二维半导体材料研究中获进展。
以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。不过，石墨烯的零带隙半导体性质严重限制了其在微电子器件领域的应用。
研究人员通过近 5 年努力，借助实验技术与理论研究，在双层 C3N 的带隙性质、输运性质等研究领域取得突破，进一步证明双层 C3N 在纳米电子学等领域的重要应用潜力。

据介绍，该工作证明了通过控制堆垛方式实现双层 C3N 从半导体到金属性转变的可行性。更重要的是，研究还发现通过施加外部电场可实现 AB' 堆垛双层 C3N 带隙的调制。
IT之家了解到，报道称，该工作是 C3N 材料实验与理论研究的重要突破，为进一步构建新型全碳微电子器件提供了支撑。相关工作得到国家自然科学基金、上海微系统所新微之星项目等的支持。