由于外界相关规则的变动，使用美国技术的芯片企业，无法继续为华为提供芯片代工服。此举，导致了全球芯片产业的格局发生改变，为了尽快摆脱芯片产业的“僵局”。国内重点高校中科院、清华等，纷纷就半导体领域展开布局，对芯片的关键制造技术实施科研攻关。

但是，在硅基半导体领域，整个行业都面临欧美专利技术的壁垒。想要打破技术上的垄断，唯有开发新一代的半导体技术。随着摩尔定律的不断推进，第三代半导体技术的运用逐渐展开。

前段时间，台积电对外界公布了在1nm制程领域的进展，金属铋将被用于芯片生产的消息得到证实，未来可能将作用于台积电生产的1nm芯片工艺之中。

除去台积电在对第三代半导体材料进行布局之外，国内中科院旗下的物理研究所，也对新一代半导体材料进行了研发。其中，小规模试产的8英寸石墨烯晶圆，已经在去年问世。

而在近日，国产芯片再度迎来了一个好消息，云南大学对外界宣布，关于第三代半导体材料的应用取得了新的进展。云南大学的材料与能源学院突破了硫化铂材料的瓶颈，成功解决了石墨烯材料的应用缺陷。即石墨烯材料硫化铂合成后，会大面积均匀少层以及硫化铂熔点、光电等物理性能的问题。

这也意味着我国在第三代半导体材料应用领域，又迈出了全新的一步。据悉，硫化铂材料在其性能上甚至要领先石墨烯，从其物理特性来看硫化铂具有大容量、高架空性，同时又兼具高导电性的优点。

在芯片制造领域，硫化铂甚至比台积电提出的半金属铋元素，更加适用于商业化的芯片制造，不仅成方面更低，在芯片的产出效率以及实际性能上还要更高。

既然，硫化铂材料的性能如此优越，台积电为什么会选择了用半金属铋元素，来制造1nm芯片呢？其实，这里边也是有技术上的难题，由于硫化铂材料特性，在被当作二维材料使用时，会出现面积狭窄以及不容易转移的问题。而这些问题的出现，导致了台积电、三星等巨头不再看好这项技术。

但是，随着云南大学在硫化铂材料技术上的突破，这种全新的半导体材料，又有了商用化的基础条件。

从目前局面来看，国产芯片已经进入了高速发展阶段，上海微电子的光刻机、中芯国际布局成熟工艺下的代工产能。越来越多的消息证实，国产芯片已经在自给自足的道路上越走越远。

微软创始人比尔盖茨曾预言，“限制芯片企业出口产品给中国，最终只会导致美国部分人丢失自己的高薪岗位，而中国将在这个过程中逐渐自给自足。”

如今，在第三代半导体领域，国内的发展速度远超预期。如果使用硫化铂来做原材料生产芯片，28nm制程工艺下的产品，就能够与目前硅基芯片的7nm产品对比。