长期以来，我国对芯片的进口额远远超过了石油。我国是芯片消耗大国，但芯片制造却是我国长期以来被“卡脖子”的典型，很难做到高真正意义的自产自出，而主要的芯片进口依赖与美国，也正是这种原因，为打乱中国数字化快速发展的节奏，美国对我国的芯片产业频频出手。
华为事件、中芯事件就是很好的例子，美国对我国的芯片封锁，一度让国产高端芯片不能落地，甚至还引发了全球半导体缺芯潮，全球芯片价格飙升。也正是因为没有了以前所谓的“科技无国界”，重新发展半导体也成了全球各国的首要任务，而作为尝到“剔骨之痛”的我国，在国家相关免税等优惠的政策下，也掀起了一股“造芯潮”。
芯片业传来好消息，又一国产黑马出现，英诺赛科（苏州）半导体有限公司在江苏汾湖高新区举行8英寸硅基氮化镓芯片量产仪式，成了全球首家实现8英寸硅基氮化镓量产的企业。
关于英诺赛课，大家也许比较陌生，这是曾经在美国NASA工作了15年的数学博士骆薇薇回国创办的典型的新材料高科技公司，致力于第三大半导体硅基氮化镓研发与产业化，涉足于芯片设计、制造、测试、失效分析于一体，注册资本27亿，称得上第三代半导体领域的巨头企业，而如今能在硅基氮化镓 “新材料”方面实现量产，这是中国半导体领域的重要里程碑。
在传统芯片领域，台积电、三星已经实现了5nm工艺芯片的量产，并且两者都在聚焦更先进的3nm、1nm工艺，但大家都知道，芯片制造工艺的提升越来越难，当进入1nm时传统芯片就要顶到天花板，也正是因为这种原因，摩尔定律失效的说法也是越来越多，寻找新的材料取代传统的硅基芯片，成了许多芯片企业弯道超车的关键，因为这是芯片性能提升的基石，也是超越摩尔定律相关技术的重点。
英诺赛课研发的硅基氮化镓晶圆，是第三代化合物半导体的代表材料，与硅基材料相比，硅基氮化镓是以硅衬底，将硅与氮化镓整合在一起的材料，加上氮化镓具有更强的化学键，可以承受比硅基材料高出很多倍的电场而不会崩溃。
这也意味着晶体管之间的距离可以缩短十多倍，晶体管密度可以大幅增加，芯片的面积会更小，功耗更低，性能也更强，成本也非常低，这是芯片制造过程中取代传统硅基芯片的良好方案。在学术界，由于硅和镓之间的大晶格失配，把硅和氮化镓整合在一起的难度非常大，但我国的科技企业做到了，并且打破了海外企业对我国在氮化镓芯片领域的垄断。
除此之外，光刻机领域，我国上海微电子28nm精度光刻机也将落地，7nm工艺芯片即也快要实现量产，配备国产自主研发的硅基氮化镓晶圆，不难发现，国产芯片转机已经出现！
