作为光刻环节的重要耗材，光刻胶的质量和性能直接影响集成电路制造产线良率，是集成电路制造的核心材料之一。按照曝光波长不同，光刻胶可分为g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm），ArF（193nm）以及新兴的EUV光刻胶5大类。其中，ArF 光刻胶材料可用于90nm-14nm 甚至 7nm 技术节点的集成电路制造工艺，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等高端芯片制造。

长期以来，全球高端光刻胶（主要指KrF、ArF和EUV光刻胶）市场被以日本合成橡胶、东京应化、信越化学、富士电子材料等为代表的国外技术垄断。随着国内 IC 行业的快速发展以及先进制程工艺的应用，光刻胶的用量持续提升。目前，国内从事高端光刻胶研发和生产的公司主要有南大光电、上海新阳、晶瑞股份、北京科华等。

近日，南大光电公告称，其控股子公司宁波南大光电自主研发的 ArF 光刻胶产品继 2020 年 12 月在一家存储芯片制造企业的 50nm 闪存平台上通过认证后，近日又在逻辑芯片制造企业 55nm 技术节点的产品上取得了认证突破。认证评估结果显示，本次认证系选择客户 55nm 技术节点逻辑芯片产品的工艺进行验证，宁波南大光电研发的 ArF 光刻胶的测试良率结果符合要求，具备 55nm 平台后段金属布线层的工艺要求。

据悉，南大光电从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三类半导体材料产品生产、研发和销售。2020年底，南大光电自主研发的ArF光刻胶产品通过下游客户的使用认证，成为通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶，各项光学性能均达到商用胶水平。

南大光电目前已完成两条光刻胶生产线的建设，正在推动ArF光刻胶的客户验证和量产工作，相关配套材料产业化也在稳步推进。半个月前，南大光电曾在投资者互动平台表示，公司已建成25吨光刻胶生产线，生产线已具备批量生产的条件。

公告同时提示，ArF 光刻胶产品与本次认证通过的客户之间的产品销售与服务协议尚在协商之中。ArF 光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险，不仅需要技术攻关，还需要在应用中进行工艺的改进、完善，这些都会决定 ArF 光刻胶的量产规模和经济效益。公司将根据后续进展履行信息披露义务。