三星高级技术学院SAIT的研究人员与蔚山国立科学技术学院UNIST和剑桥大学合作，发现了一种名为非晶态氮化硼(a-BN)的新材料，它可能成为新一代半导体的材料，加速下一代半导体的问世，这项研究已经在《自然》杂志上发表。

最近SAIT一直在研究2D材料——具有单原子层的晶体材料的研究和开发，具体而言该研究所一直致力于石墨烯的研究和开发，并在该领域取得了突破性的研究成果，例如开发了新的石墨烯晶体管以及生产大面积单晶芯片的新方法，除了研究和开发石墨烯之外，SAIT还致力于加速材料的商业化。

新发现的材料名为非晶态氮化硼(a-BN)，由具有非晶分子结构的硼和氮原子组成。尽管非晶态氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六边形结构排列的硼和氮原子，但实际上a-BN的分子结构使其与白色石墨烯拥有独特的区别。

非晶态氮化硼拥有同类最佳的1.78超低导电系数，拥有强大的电气与机械性能，可以用作互连隔离材料以最大程度地减少电干扰。还证明了这种材料可以在仅400℃的温度下以晶圆级生长，因此预计非晶态氮化硼将广泛应用在DRAM和NAND这种存储半导体上，尤其是用于大型服务器的新一代存储器当中。

SAIT副总裁兼无机材料实验室负责人Park Seongjun Park说：最近，人们对2D材料及其衍生的新材料的兴趣不断增加。但是，将这些材料应用于现有的半导体工艺依然存在许多挑战。我们将继续开发新材料来领导半导体的范式转换。