6月15日记者获悉，中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心马秀良研究团队在氧化物铁电材料中发现了半子(Meron)拓扑畴以及周期性半子晶格，为与铁磁材料类比的结构特性再添新的实质性内容，也将为探索基于铁电材料的高密度信息存储器件提供了新思路。这一科研成果已在《自然·材料》在线发表。

　　该团队研究人员介绍说，半子是拓扑荷为±1/2的非平面型拓扑畴结构。拓扑畴结构具有拓扑保护性，可使数据得以长时间保存。铁电材料中周期性半子晶格的发现，是该团队在前期应变调控方法的基础上，通过像差校正电子显微成像并结合相场模拟，使得半子拓扑畴结构所特有的面外极化与面内极化一同在实空间呈现出来。这一科研成果进一步完善了通过失配应变调控铁电材料拓扑畴结构的重要性和有效性，揭示了极化体系中的电偶极子在一定条件下具有类似特殊凝聚结构的准粒子行为，对探索基于铁电材料的高密度非易失性信息存储器件具有重要意义。

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