近日有消息传出，我国已经制造出达到9纳米的光刻实验样机，这一消息让人振奋不已。我们都知道在去年11月份的时候，我们才通过验收的超分辨光刻设备研制的分辨率才只有10纳米，而仅仅不到一年的时间我们又有了这么巨大的进步，如何让人不激动。按照目前这个趋势继续发展下去， 7纳米也一会再不久的将来被我们拿下。近年来我们的光刻技术之所以进步如此迅速和那些默默无闻的高科技研发人员的付出有着必然的联系。他们通过辛勤的汗水推动着我们的现代化建设快速向前推进。

我国创造的9纳米技术，最大的特点在没有任何可借鉴的技术条件下，我们另辟蹊径创造出了一种光刻技术。而我们这次所创造的这种光刻技术和世界上目前的主流技术完全不搭边，这也就是为什么人们在看到九纳米光刻实验样机问世之后敢于对7纳米有所期盼的原因，毕竟另辟蹊径并不是一条容易走的路，但是一旦走通了，其未来到底能够给我们带来多大惊喜谁也无法确定。

虽然我们已经来到21世纪，世界各国的各方面的合作也在日趋密切，但是很多国家还在用老思维对待我们。激光光刻机作为制造集成电路的核心设备，它的精密核心技术一直被荷兰ASMI公司垄断的，但是该公司在该技术领域对我们采取的禁售和技术封锁的政策依然没有松动。这也正是这么多年来我国的芯片发展一直缓慢的原因，呼唤了多少年的中国心虽然软件技术已经赶超世界先进水平但是在硬件上因为受制于光刻录机，所以让我们整个芯片行业不能得到正常的发展。

有专家透露我们此次发明的这款光刻机是由两束激光同时作用于光刻胶上，然后通过一种特殊的方法最终实现了九纳米技术，不论从哪个角度来说这都是一次意义重大的创新。它体现出了我们勇于攀登，不畏艰险的山人精神，我们的自力更生的脚步更加坚实了。