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北京第三代半导体材料及应用联合创新基地建设取得重要阶段性进展
时间:2015/6/10 11:27:44  来源:本站原创  点击:886

 

     5月25日,北京市科委、顺义区政府、国家半导体照明联盟联合举行北京第三代半导体材料及应用联合创新基地共建工作会。
  会上,举行了荷兰代尔夫特理工大学与顺义区政府签署战略合作框架协议,同时举行了第三代半导体联合创新创业孵化中心揭牌仪式。科技部副部长曹健林、北京市科委副主任朱世龙、顺义区区长卢映川、荷兰驻华大使贾高博、北京科技协作中心主任季小兵、北京市科委委员王建新等领导出席会议。国家半导体照明联盟秘书长、科技部第三代半导体重点专项总体组专家吴玲研究员,科技部“半导体照明重点专项”总体组专家李晋闽研究员、沈波教授等及首都创新大联盟各成员联盟、第三代半导体领域企业代表100人参加会议,此次会议的召开标志着北京第三代半导体材料及应用联合创新基地的建设又迈上了新台阶。
  代尔夫特理工大学与顺义区政府战略合作框架协议的签订,标志着第三代半导体材料及应用联合创新基地引进国际优势创新资源、汇聚全球创新创业人才取得新进展,将充分发挥北京突出的科技资源优势和独特的国际交往优势,从全国科技创新中心建设的高度对联合创新基地的发展进行科学规划和布局,打造立足北京、辐射全国、引领产业发展的国际化第三代半导体开放式创新环境。
  第三代半导体联合创新创业孵化中心集成了开放式的公共研发平台以及中试技术平台,并吸收了首都创新大联盟广大成员企业参加,有利于通过创客

 

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