支持的重点包括：

　　（一）新型平板显示领域

　　1、高世代（6代及以上）薄膜晶体管液晶显示（TFT-LCD）用高性能混合液晶材料研发和产业化

　　要求：驱动电压≤7V，响应时间≤15ms，电阻率≥1×1013Ω？cm，单体纯度>99.90%，粘度<20mPa?s；申报单位已实现年销售量大于1吨。

　　2、有源有机发光显示（AMOLED）用高精度金属因钢蒸镀掩膜板研发和产业化

　　要求：尺寸≥650mm×750mm，最小开口尺寸25μm，开口精度≤±3μm，开口间距≤50μm，定位精度≤±5μm；申报单位已实现年销售量大于80套。

　　3、AMOLED用高性能、长寿命有机蓝色电致发光、电子传输和空穴注入/传输材料研发和产业化

　　要求：达产后形成年产发光材料25公斤、其他材料500公斤的生产能力，其中：蓝光材料色度坐标达到CIE（0.14±0.01，0.07±0.01），1000 cd/m2亮度下，效率>6cd/A；空穴传输材料迁移率>8.0×10-4cm2/Vs；电子传输/空穴注入材料采用飞行时间法测试，迁移率>5.0×10-3cm2/Vs；玻璃化转变温度Tg≥130℃；驱动电压低于4V情况下，对应器件特性指标LT95寿命要求红、绿（>5000cd/m2）≥3000小时，蓝（>500cd/ m2）≥1000小时；实验片发光区面积3mm×3mm。

　　4、高分辨率面板驱动IC研发和产业化

　　要求：支持高分辨率（4K×2K）及以上电视面板、300PPI（每英寸像素数目）及以上手机面板，并可根据面板厂商要求提供不同接口技术。

　　5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD设备研发和产业化

　　要求：可制备非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二铝等薄膜材料，成膜非均匀度≤±3%，基板处理能力≥20片/小时。

　　6、高世代TFT-LCD及AMOLED用溅射镀膜设备研发和产业化

　　要求：靶材利用率>75%，薄膜非均匀性<5%，可制备ITO（氧化铟锡）、IGZO（氧化铟镓锌）、铝、钼等薄膜材料。

　　7、AMOLED蒸镀设备研发及产业化

　　要求：最大可镀膜基板尺寸650mm×750mm，OLED（发光显示）材料利用率≥25%，OLED镀膜均匀度≤±3%，对位精度2μm，生产节拍120秒。